Открытие бюста Жореса Алферова. Пресс-служба СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
В Первом электротехническом состоялась торжественная церемония открытия бюста знаменитого выпускника факультета электронной техники ЛЭТИ, Почетного доктора университета, всемирно известного ученого, лауреата Нобелевской премии по физике Жореса Ивановича Алферова.
22 октября 2026 года в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете «ЛЭТИ» состоялось торжественное открытие бюста Жореса Ивановича Алферова. Событие прошло в рамках праздничных мероприятий, посвященных 140-летию основания университета.
Открытие бюста Жореса Алферова. Фото. Пресс-служба СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
В церемонии открытия памятного бюста приняли участие ректор СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Виктор Николаевич Шелудько; вице-президент РАН, академик, ректор Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого Андрей Иванович Рудской; заместитель Председателя Комитета по науке и высшей школе Правительства Санкт-Петербурга Владимир Тарасович Гайдей; ректоры петербургских вузов, преподаватели, сотрудники и студенты ЛЭТИ.
Торжественную церемонию открыл ректор СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Виктор Николаевич Шелудько. Он отметил неоценимый вклад Жореса Ивановича Алферова в развитие науки и образования.
«В этот юбилейный год мы обращаемся к нашим выдающимся выпускникам. Многим из присутствующих довелось общаться с Жоресом Ивановичем, слушать его лекции. Он никогда не терял связь с родным университетом. Много сделал для науки и образования работая в ЛЭТИ, и когда работал в Политехническом университете, в Физтехе, и когда создавал Академический университет. Жорес Иванович – человек уникальной судьбы, человек-эпоха. Уверен, что масштаб его личности будет с каждым годом возрастать». – Ректор СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Виктор Николаевич Шелудько
Вице-президент РАН, председатель Санкт-Петербургского отделения РАН, ректор Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого, академик Андрей Иванович Рудской в своем выступлении подчеркнул масштаб достижений ученого и его роль в развитии научной инфраструктуры города.
«Алферов – великий основатель полупроводниковых гетероструктур. Он всегда был принципиален, до конца жизни оставался верен своим идеалам. Жорес Иванович навсегда останется у нас в памяти светлым человеком, у которого мы должны учиться, которому должны подражать. Слава великим гениям России». – Вице-президент РАН, председатель Санкт-Петербургского отделения РАН, ректор Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого, академик Андрей Иванович Рудской
Заместитель Председателя Комитета по науке и высшей школе Правительства Санкт-Петербурга Владимир Тарасович Гайдей напомнил о вкладе ученого в развитие системы поддержки молодых исследователей.
«Наверное, все ещё со школьной скамьи знают и помнят это имя. Величие Жореса Ивановича не только в тех научных достижениях мирового уровня, которые он совершил, но также и в общественно-политической жизни. Низкий поклон ему за то, что он отстаивал свои позиции в науке и образовании.
Сегодня Алферовский фонд продолжает поддержку молодых ученых. Замечательно, что мы в Петербурге так трепетно относимся к наследию Алферова, сохраняя память о нем. Правительством нашей страны учреждены персональные стипендии имени Жореса Ивановича Алферова для молодых ученых в области физики и нанотехнологий». – Заместитель Председателя Комитета по науке и высшей школе Правительства Санкт-Петербурга Владимир Тарасович Гайдей
Ректор Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета имени Ж.И. Алферова Александр Рудольфович Наумов в своем обращении подчеркнул роль ученого в разработке современных технологий и развитии системы подготовки научных кадров.
«Первое деяние Жореса Ивановича, за которое мы прежде всего ему благодарны – это его научная работа в области физики гетероструктур, – создание полупроводникового лазера, работающего при комнатной температуре. То, без чего невозможно представить интернет, высокоскоростные оптические линии связи.
Второе великое деяние, которое Жорес Иванович нам оставил – это созданная им научно-педагогическая школа. И когда мы говорим, что вершиной созданной Алферовым системы подготовки научных кадров является Академический университет, всегда нужно помнить, что все начиналось с базовой кафедры в ЛЭТИ». – Ректор Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета имени Ж.И. Алферова Александр Рудольфович Наумов
Директор Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе, член-корреспондент РАН Сергей Викторович Иванов рассказал о том, что великий ученый на протяжении всей жизни сохранял связь с ЛЭТИ.
«Когда в 1972 году Жорес Иванович с коллегами получил Ленинскую премию за открытие гетеролазера, он уже тогда понимал перспективы этого открытия для развития полупроводниковой оптоэлектроники. Через год в ЛЭТИ была создана первая базовая кафедра оптоэлектроники при Физтехе. Кафедра выпустила уже порядка шестисот выпускников, среди которых кандидаты, доктора наук, члены-корреспонденты РАН. Многие из них сейчас руководят деятельностью института. Я сам – выпускник ее седьмого набора. И в сердце своем мы всегда остаемся лэтишниками». – Директор Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе, член-корреспондент РАН Сергей Викторович Иванов
Автор бюста, петербургский скульптор Владислав Александрович Маначинский в своем выступлении выразил слова благодарности за возможность быть причастным к увековечиванию памяти о выдающемся ученом, пожелав нынешним студентам и молодым исследователям упорства и достижения новых открытий. Владислав Александрович был награжден благодарностью ректора СПбГЭТУ «ЛЭТИ».
Торжественная церемония завершилась возложением цветов к бюсту академика Ж.И. Алферова.
Жорес Иванович Алферов (1930-2019), выдающийся советский и российский физик, лауреат Нобелевской премии по физике (за разработку полупроводниковых гетероструктур, 2000 г.) отвечая на вопрос о любимом парке, сказал, что любит два старинных петербургских сада: Летний сад и Ботанический сад. Благотворительная акция «Древо жизни» Михайловский сад/ 4 октября 2014 года Санкт-Петербург/Фото репортаж Людмилы Калясиной/
Академик, вице-президент Российской Академии Наук (РАН), лауреат Нобелевской премии по физике 2000 года, ректор Академического университета РАН, Почетный доктор СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Жорес Иванович Алферов родился в 1930 году в городе Витебске Белорусской ССР. В годы Великой Отечественной войны он вместе с семьей переехал в Туринск (Свердловская область), где отец работал директором целлюлозно-бумажного завода. После войны Алферовы вернулись в разрушенный войной Минск, где Жорес окончил с золотой медалью среднюю школу № 42.
В 1948 году Жорес Алферов переехал в Ленинград и поступил на факультет электронной техники ЛЭТИ. В 1952 году окончил вуз с отличием по специальности «Электровакуумная техника». Начинал работу на кафедре основ электровакуумной техники ЛЭТИ, где занимался исследованиями полупроводниковых фотоприемников. Это направление определило его дальнейшие научные интересы.
После окончания ЛЭТИ Жорес Алферов был распределен на работу в Ленинградский физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, где при его участии были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германивые приборы.
В начале 60-х годов Алферов начал заниматься проблемой гетеропереходов. Открытие Алферовым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений – «сверхинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах – позволило кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.
Благодаря фундаментальным работам Ж.И. Алферова были созданы светодиоды на гетероструктурах, которые позволяют существенно сэкономить электроэнергию. Группой ученых под руководством Алферова был создан первый в мире лазер на квантовых точках, превосходящий сегодня по характеристикам все типы полупроводниковых лазеров.
Своими открытиями Алферов заложил основы современной информационной техники. Созданные на базе исследований Алферова приборы и устройства – это лазеры, передающие информационные потоки посредством оптоволоконных сетей Интернета, технологии, лежащие в основе мобильных телефонов, устройства, декодирующие товарные ярлыки, запись и воспроизведение информации и многое другое.
Под научным руководством Алферова были выполнены исследования солнечных элементов на основе гетероструктур, что привело к созданию фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения в электрическую энергию, коэффициент полезного действия которых приблизился к теоретическому пределу. Они оказались незаменимыми для энергообеспечения космических станций, а в настоящее время рассматриваются как один из основных альтернативных источников энергии.
В 2000 году Жоресу Ивановичу Алферову была присуждена Нобелевская премия по физике за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники.
Академик Ж.И. Алферов – автор более 500 научных трудов и свыше 50 изобретений. Его работы отмечены отраслевыми и государственными премиями СССР, России, ФРГ, США, Японии и других стран.
Жорес Иванович Алферов целенаправленно формировал систему подготовки научных кадров по новейшим направлениям науки и техники. В 1973 году Алферов принял участие в создании и возглавил на факультете электронной техники ЛЭТИ первую в стране базовую кафедру оптоэлектроники в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, преподавателями которой стали известные ученые. В 1987 году Ж.И. Алферов создал физико-технический лицей, в 1988 году организовал физико-технический факультет в Санкт-Петербургском государственном политехническом университете. В 2002 году по инициативе Алферова был создан Академический физико-технологический университет. Созданные структуры в 2009 году были объединены в Санкт-Петербургский академический университет, которому в 2019 году было присвоено имя Ж. И. Алферова.
За значительный вклад в развитие родного университета, общепризнанные научные достижения и личный вклад в организацию научных исследований и развитие системы высшего образования в 2000 году Жорес Иванович был удостоен звания «Почетный доктор ЛЭТИ», награжден почетным знаком университета «За заслуги».
В 2013 году в СПбГЭТУ «ЛЭТИ» была открыта лаборатория солнечной гетероструктурной фотоэнергетики имени Жореса Ивановича Алферова.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» основан в 1886 году и был первым в Европе высшим учебным заведением, специализированным в области электротехники. Университет исторически имеет репутацию одного из ведущих центров российской и мировой науки.
Изобретение радио, строительство первых гидроэлектростанций в России, открытие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники – эти и другие достижения научно-технического прогресса современного общества – итог работы ученых СПбГЭТУ «ЛЭТИ».
Здесь в разные годы работали: изобретатель радио Александр Попов, основатель отечественной радиотехники Имант Фрейман, пионер отечественного гидроэнергостроительства Генрих Графтио, первый русский электрохимик Александр Кракау и другие выдающиеся ученые нашей страны.
В годы Великой Отечественной войны сотрудники Спецбюро оборонных работ под руководством Сергея Ринкевича обеспечили усиление зенитной защиты кораблей Балтийского флота, разработали технологии сварки металлических конструкций на «Дороге жизни». Броня советских танков проходила закалку токами высокой частоты по методу Валентина Вологдина. Более 1200 лэтийцев защищали Ленинград от фашистских захватчиков, воевали на фронтах. В бункере на территории института располагался штаб командующего ПВО ВМФ адмирала Владимира Трибуца. В условиях блокады ЛЭТИ продолжал подготовку специалистов, востребованных в стране. Это был вклад ЛЭТИ в Великую Победу.
В послевоенное время «марка ЛЭТИ» стала одним из символов восстановления промышленности, развития науки и высшего технического образования в Ленинграде. Сегодня СПбГЭТУ «ЛЭТИ» – ведущий технический вуз России и участник программы «Приоритет 2030» – является лидером в области разработки технологий и опережающей подготовки кадров для таких сфер, как новая электроника, искусственный интеллект, беспроводные технологии, беспилотные автономные системы, портативная медицинская техника, электроинжиниринг.
Пресс-служба СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
Елена Федорцова
главный специалист отдела по связям с общественностью
Управления корпоративных и внешних коммуникаций
СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
